삼성전자, 시스템반도체 171조 투자..."수성보다 초격차로 따돌릴 것"
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삼성전자, 시스템반도체 171조 투자..."수성보다 초격차로 따돌릴 것"
  • 박주범
  • 승인 2021.05.13 15:30
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2030년까지 기존 133조원 투자에 38조원 추가
평택캠퍼스 3라인 건설 착수, 2022년 하반기 완공

삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 향후 2030년까지 시스템반도체 분야에 대한 추가 투자계획을 발표했다.

지난 2019년 '시스템반도체 비전 2030' 발표 당시 수립한 133조원의 투자계획에 38조원을 추가해 2030년까지 총 171조원을 투자하고 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산라인 건설에 박차를 가한다는 구상이다.

최근 모든 산업영역에서 전례 없는 반도체 부족 사태가 빚어지고 각국 정부가 미래 산업의 핵심인 반도체 공급망 유치를 위해 경쟁하는 상황에서 삼성전자의 시스템반도체 투자 확대는 'K-반도체'의 위상을 한층 더 높일 것으로 기대된다.

2022년 하반기 완공될 평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기이다. 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹으로, EUV 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.

삼성전자는 앞으로 ▲차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나가고 ▲메모리와 시스템반도체를 융합한 'HBM-PIM' ▲D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가한다는 계획이다.

삼성전자 김기남 부회장은 "한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다"며 "수성에 힘쓰기 보다는, 결코 따라올 수 없는 '초격차'를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장 서겠다"고 강조했다.

박주범 기자 kdf@kdfnews.com


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