삼성전자가 EUV(극자외선) 공정을 적용한 14나노 D램 양산에 들어갔다.
5개 레이어에 EUV 공정이 적용된 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 소비전력은 약 20% 개선됐다.
삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다.
DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격으로 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 수요가 지속 커지고 있다.
또한 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램도 양산할 계획이다.
삼성전자 이주영 전무는 "삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해, 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔으며, 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다"고 밝혔다.
사진=삼성전자
박주범 기자 kdf@kdfnews.com
저작권자 © 한국면세뉴스 무단전재 및 재배포 금지
