삼성전자가 업계 최초로 12나노급 32Gb(기가 비트) DDR5 D램을 개발했다고 1일 밝혔다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다.
32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현해 128GB(기가 바이트) 모듈을 TSV 공정없이 제작할 수 있게 되었다. TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극)는 칩을 얇게 간 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다.
동일 128GB 모듈 기준으로 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선도 가능하다.
삼성전자는 AI시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 예정이다.
삼성전자 황상준 부사장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술 한계를 극복할 것"이라고 밝혔다.
이번 제품은 연내 양산될 예정이다.
사진=삼성전자
박주범 기자 kdf@kdfnews.com
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